AI 算力引爆材料金属，磷化铟价格狂飙，供需缺口成行业核心矛盾

AI 算力建设浪潮之下，曾长期偏居产业链角落的磷化铟一跃成为 2026 年半导体领域最炙手可热的硬通货。开年以来，全球 800G/1.6T 高速光模块需求集中爆发，作为光芯片核心衬底的磷化铟供需缺口持续拉大，价格一路暴涨、订单排期超一年，海内外企业密集加码扩产，全产业链迎来价值重估。

供需缺口持续高位，下游抢货潮愈演愈烈
AI 数据中心算力集群加速落地，驱动 800G、1.6T 高速光模块需求呈指数级增长。磷化铟作为当前支撑长距高速光传输的核心规模化衬底材料，随着更高速率光模块的普及，单台设备的芯片用量较前代产品显著提升。据行业机构测算，2026 年全球磷化铟衬底市场需求大幅攀升，但通过下游客户认证的稳定有效产能增长有限，整体供需缺口持续处于高位。目前行业头部厂商在手订单饱满，生产排期已延伸至 2027 年下半年，现货市场流通货源持续紧缺，采购方即便支付较高比例预付款，仍需较长周期才能完成交付，行业供不应求的紧平衡格局短期难以扭转。

海内外扩产竞速，短期供给难有实质改善
面对紧缺格局，全球产业链掀起扩产潮。日本住友电工年内二度上调扩产目标，计划投资 180 亿日元将产能提升至 2024 财年的 3.1 倍，预计 2028 财年落地；国内浙江先导微电子 20 亿元高端化合物半导体项目落户衢州，规划年产磷化铟衬底 300 万片，建设期长达三年。但磷化铟单晶生长壁垒高、良率爬坡慢，叠加 18-24 个月的建设周期，新增产能远水难解近渴，2026-2027 年紧缺格局难以逆转。

产业链闭环加速，国产替代迎来关键窗口
产业链上游，高纯铟作为锌矿伴生金属供给弹性极弱，6N 级提纯工艺壁垒高，原料稀缺性持续向中游传导；中游衬底环节此前长期被日美寡头垄断，全球市占率超 90%。当前国内企业正加速突围，云南锗业等厂商已实现 6 英寸磷化铟衬底规模化量产，先导科技等企业打通 “原料 - 衬底 - 光模块” 全链条，国产替代进程显著提速，行业议价权正逐步向国内头部厂商转移。

（注：个人观点，核心观点基于公开信息及市场推导，以上观点仅供参考，不做为入市依据 ）长江有色金属网